سامسونگ از اولین رم 12 نانومتری DDR5 جهان رونمایی کرد


سامسونگ اولین رم DDR5 تولید شده با لیتوگرافی 12 نانومتری را معرفی کرد. کره ای ها همزمان با معرفی این رم 16 گیگابایتی DDR5 از سازگاری آن با پردازنده های خانواده Zen شرکت AMD خبر داده اند. رم جدید سامسونگ تا 23 درصد نسبت به نسل قبلی بازده انرژی بیشتری دارد. سامسونگ اعلام کرده است که با استفاده از مواد کاپا بالا و افزایش ظرفیت سلولی توانسته چنین محصولی را تولید کند. همچنین این شرکت از فناوری انحصاری برای بهبود مدارهای حیاتی و مهم استفاده کرده است. تولید انبوه رم 12 نانومتری DDR5 سامسونگ از اوایل سال 2023 سامسونگ از لیتوگرافی چند لایه پیشرفته با بالاترین تراکم قالب در صنعت برای تولید این رم DDR5 استفاده می کند که 20 درصد راندمان ویفر بالاتری را ارائه می دهد. این رم می تواند اطلاعات را با سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه انتقال دهد که معادل پردازش دو فیلم 4K با حجم 30 گیگابایت در تنها یک ثانیه است. سامسونگ تولید انبوه رم جدید خود را در اوایل سال آینده آغاز خواهد کرد، بنابراین احتمالاً باید انتظار داشته باشیم که این تراشه های DRAM را در محصولات مختلف در سه ماهه چهارم سال 2023 ببینیم. به گفته سامسونگ، این DRAM جدید می تواند منجر به افزایش پذیرش و استفاده از رم DDR5 شود. در محصولات مختلف علاوه بر این، رم جدید با راندمان انرژی بالاتر و سرعت سریع‌تر ظاهراً می‌تواند تغییرات چشمگیری در برخی زمینه‌ها از جمله محاسبات نسل بعدی، مراکز داده و سیستم‌های مبتنی بر هوش مصنوعی ایجاد کند.

دیدگاهتان را بنویسید