اینتل می‌خواهد تا سال 2030، یک تریلیون ترانزیستور روی تراشه‌ها قرار دهد


اینتل می خواهد با قدرت کامل به روزهای اوج خود بازگردد. این شرکت سال گذشته اعلام کرد که تا سال 2025 می‌خواهد به رهبر جهانی در تولید تراشه تبدیل شود و از TSMC و سامسونگ پیشی بگیرد. اکنون این شرکت گفته است که تا سال 2030 می توانیم شاهد استفاده از یک تریلیون ترانزیستور بر روی تراشه های خود باشیم. سامسونگ و TSMC در حال حاضر پیشتاز بازار تولید تراشه هستند و تراشه‌های 3 نانومتری آنها سال آینده وارد بازار می‌شوند. با کوچکتر شدن ترانزیستورها، تعداد بیشتری از آنها را می توان روی تراشه ها قرار داد تا مصرف برق آنها کاهش یابد و قدرت آنها افزایش یابد. در سال های اخیر، لیتوگرافی تراشه کوچکتر شده است. به عنوان مثال، پیشرفته ترین تراشه های موجود در بازار امروز 4 نانومتری هستند. برای درک مزایای کوچک‌تر کردن ترانزیستورها، می‌توانیم نگاهی به ترانزیستورهای A13 Bionic و A16 Bionic بیندازیم. تراشه A13 Bionic که با لیتوگرافی 7 نانومتری TSMC برای سری آیفون 11 تولید شده است، دارای 8.5 میلیارد ترانزیستور است. برای مقایسه، تراشه A16 Bionic مورد استفاده در گوشی های سری آیفون 14 که با لیتوگرافی 4 نانومتری تولید می شود، نزدیک به 16 میلیارد ترانزیستور دارد. تراشه با یک تریلیون ترانزیستور تا سال 2030 به کوچک شدن ادامه خواهد داد و تعداد ترانزیستورهای روی تراشه ها افزایش خواهد یافت. ما باید منتظر تراشه های 2 نانومتری در سال 2025 و احتمالاً تراشه های 1.4 نانومتری در سال 2027 باشیم. TSMC حتی در مورد تراشه های 1 نانومتری صحبت کرده است، اما نمی دانیم چه زمانی وارد بازار می شوند. اما اینتل پا را فراتر گذاشته و در مورد آوردن یک تریلیون ترانزیستور بر روی تراشه ها صحبت کرده است. در رویداد IEDM 2022 که به مناسبت هفتاد و پنجمین سالگرد تولید این ترانزیستور برگزار شد، اینتل گفت که تا سال 2030، یک تریلیون ترانزیستور را روی یک بسته قرار خواهد داد. یک بسته شامل یک تراشه است که می تواند روی مدار لحیم شود یا به آن اضافه شود. معمولاً یک تراشه روی یک بسته قرار می گیرد مگر اینکه با ماژول های چند تراشه ای سروکار داشته باشیم. به عنوان مثال، یک حافظه eMMC شامل یک فلش مموری و یک کنترلر فلش مموری است. طبق گفته اینتل، قانون مور ادامه دارد. این قانون می گوید که تعداد ترانزیستورهای روی تراشه ها هر سال دو برابر می شود. برای دستیابی به هدف خود یعنی قرار دادن یک تریلیون ترانزیستور روی یک بسته یا تراشه، اینتل باید به فناوری های مختلف دست پیدا کند. یکی از پیشرفت‌های اخیر در دنیای تراشه‌ها استفاده از فناوری GAA به جای FinFET است که امکان دستکاری جریان در چهار طرف کانال و همچنین نانوروبان‌های عمودی را فراهم می‌کند. سامسونگ از GAA برای تراشه های 3 نانومتری و TSMC از این فناوری برای تراشه های 2 نانومتری استفاده خواهند کرد. اینتل در سال 2024 به سراغ فناوری مشابهی به نام RibbonFET خواهد رفت. علاوه بر RibbonFET، اینتل باید به سراغ فناوری های دیگری نیز برود تا بتواند تا سال 2030 یک تریلیون ترانزیستور روی تراشه ها قرار دهد. برای رسیدن به این هدف، این شرکت از مواد جدیدی نیز استفاده خواهد کرد که ضخامت بسیار کمی از 3 اتم دارند.

دیدگاهتان را بنویسید